特許
J-GLOBAL ID：200903030772014190

半導体装置の製造方法

発明者：
地割 信浩

地割 信浩 について

, 
今井 伸一

今井 伸一 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319087
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135633
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 フッ素含有有機膜が堆積された半導体基板を成膜装置から他の処理装置に搬送することなく、フッ素含有有機膜を緻密化できるようにする。【解決手段】 半導体基板100の上に、第1のシリコン酸化膜101、金属膜102及び第2のシリコン酸化膜103を順次形成した後、レジストパターン104をマスクとし且つC5F8ガスを主成分とするエッチングガスを用いてドライエッチングを行なって、第2のシリコン酸化膜103からなるハードマスク105を形成する。ハードマスク105をマスクとして金属膜102に対してドライエッチングを行なって金属配線106を形成した後、C5F8ガスを主成分とする原料ガスを用いて、金属配線106同士の間及び上面にフッ素含有有機膜107を堆積する。フッ素含有有機膜107をアルゴンガスからなるプラズマに曝すことにより、フッ素含有有機膜107を緻密化する。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理装置の反応室内において、フルオロカーボンを主成分とする原料ガスを用いて、半導体基板上にフッ素含有有機膜を堆積する堆積工程と、前記反応室内において、前記フッ素含有有機膜を希ガスからなるプラズマに曝すことにより、前記フッ素含有有機膜を緻密化する緻密化工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/314 A ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 S
Fターム (39件)：
5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB09 ,  5F004DB16 ,  5F004EA06 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR26 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033XX18 ,  5F033XX33 ,  5F058AA10 ,  5F058AC05 ,  5F058AC10 ,  5F058AE05 ,  5F058AF02 ,  5F058AG06 ,  5F058AG07 ,  5F058AH02 ,  5F058AH10
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • プラズマ処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-336294   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 層間絶縁膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227736   出願人：松下電器産業株式会社
引用文献：
審査官引用 (1件)

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