特許
J-GLOBAL ID：200903088033311117
層間絶縁膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227736
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284486
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 有機SOG膜よりなる層間絶縁膜の製膜性、コスト性及び加工性を向上させる。【課題を解決するための手段】一般式:R1xSi(OR2 )4-x (但し、R1 はフェニル基又はビニル基であり、R2 はアルキル基であり、xは1〜3の整数である。)で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成する。R1 がフェニル基である有機シリコン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン又はジフェニルジメトキシシランが挙げられ、R1 がビニル基である有機シリコン化合物としては、ビニルトリメトキシシラン又はジビニルジメトキシシランが挙げられる。
請求項（抜粋）：
一般式:R1xSi(OR2 )4-x (但し、R1 はフェニル基又はビニル基であり、R2 はアルキル基であり、xは1〜3の整数である。)で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
, H01L 21/31
H01L 21/316 X
, H01L 21/90 K
, H01L 21/95
