GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-037577
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340511
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 GaN系化合物半導体結晶のエピタキシャル成長において、マスク材料を用いること無しに転位密度を低減させ、高品質なエピタキシャル膜を得るための成長方法を提供すること。【解決手段】基板11表面、又は基板11上に形成されたGaN系化合物半導体膜12表面の表面状態をアンチサーファクタント材料により変化させ、GaN系化合物半導体材料を気相成長法にて供給することによって、半導体膜12表面にGaN系化合物半導体からなるドット構造を形成し、ドット構造同士が合体し、表面が平坦になるまで成長を続ける。この時、アンチサーファクタント領域の上部に空洞21を形成しながら、ドット構造は合体する。下地から伸びた転位線22はこの空洞21で遮断されるため、エピタキシャル膜表面での転位密度は低減される。

請求項（抜粋）：

基板上にGaN系化合物半導体結晶が成長された半導体基材において、前記半導体結晶は、転位密度が大なる層と、これに隣接し相対的に転位密度が小なる層とを有し、これら両層の間にはアンチサーファクタント材料が固定化された界面又は領域が存在していることを特徴とする半導体基材。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C30B 25/18 , C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (5件)：

H01L 21/205 , C30B 25/18 , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C , H01S 5/323

Fターム (43件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077HA01 , 4G077TK08 , 4G077TK13 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F045AA04 , 5F045AB02 , 5F045AB05 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045EB15 , 5F045HA22 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (1件)

III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-313841 出願人：富士電機株式会社

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