特許

J-GLOBAL ID：200903030795458141

半導体装置及びその製造方法

発明者： 来栖 恭子 ,  足立 克己
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060824
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273258
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 電気導体に熱サイクルを受ける半導体チップを半田付するための半田層のヒートサイクル寿命を長くし、装置の信頼性の向上を図る。【構成】 リード線35、タブ本体32とシリコンチップ17との各半田接合部に所定の突出高さを有する突出部38、34を設けて、半田層の厚さを 25〔μm〕以上にする。また、突出高さ 25〔μm〕以上の突出部38を設けたリード線35を間に半田材を挟んでシリコンチップ17に押圧しながら半田材を溶融させて、半田層の厚さを 25〔μm〕以上にする。半田層の厚みを 25〔μm〕以上にして、半田層のヒートサイクルによる剪断応力歪を低く抑え、半田クラックの発生を防止し、信頼性の優れた半導体装置の製造方法を提供できる。

請求項（抜粋）：

平板状電極を有する半導体チップと、この平板状電極と対向する電気導体対向部を有する電気導体と、上記平板状電極と上記電気導体対向部との間に設けられた半田層とを備えた半導体装置において、上記半田層の厚さを 25〔μm〕以上としたことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-012452   出願人：サンケン電気株式会社