特許
J-GLOBAL ID：200903030796645816
高純度銅単結晶及びその製造方法並びにその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181360
公開番号（公開出願番号）：特開平10-007491
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：
【要約】【目的】 従来の技術では残留が避けられなかった酸素等のガス成分を低減できる新規な精製手段を開発することにより、純度99.9999wt%以上の高純度銅からガス成分が少なく、かつ3インチ以上の大口径単結晶を製造する方法および装置を提供すること。【構成】 電気炉1内に配置された石英外筒3内に原料るつぼ5、単結晶鋳型6を脱着可能に連接し、外筒内を真空排気装置2により真空排気し、各ヒーター10、11、12を所定速度で加温し、るつぼ内の高純度銅を溶解する。溶解した銅からガス成分は上方に抜け、溶解した銅はるつぼ底部の溶解滴下孔4を介して下方の単結晶鋳型に滴下、充填する。次いで各ヒーターを制御するとともに鋳型の下に設けた断熱トラップ8、冷却水9循環の水冷フランジ7の働きで融体を順次凝固させ高純度銅単結晶を得る。
請求項（抜粋）：
酸素が0.05ppm以下、水素が0.2ppm以下、窒素が0.5ppm以下、炭素が0.01ppm以下である純度99.9999wt%以上である高純度銅単結晶。
IPC (4件)：
C30B 29/02
, C22B 15/14
, C22C 9/00
, C30B 11/00
C30B 29/02
, C22B 15/14
, C22C 9/00
, C30B 11/00 Z
