特許
J-GLOBAL ID：200903030796964180
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 沖田 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-313902
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141017
出願日： 2007年12月04日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】ダイボンディングフィルムが回路面上に設けられた半導体ウェハをダイシングする工程を有する半導体装置の製造方法において、切断面におけるバリの発生を防止する。【解決手段】半導体ウェハ2の回路面上に感光性接着剤からなるダイボンディングフィルム1を設ける工程と、露光及び現像により、ダイボンディングフィルム1を半導体ウェハ2のダイシングライン90が露出する開口11が形成されるようにパターニングする工程と、露出したダイシングライン90に沿って半導体ウェハ2をダイシングブレード70によって切断することにより、半導体ウェハ2を複数の半導体チップ20に切り分ける工程とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの回路面上に感光性接着剤からなるダイボンディングフィルムを設ける工程と、
露光及び現像により、前記ダイボンディングフィルムを前記半導体ウェハのダイシングラインが露出する開口が形成されるようにパターニングする工程と、
露出した前記ダイシングラインに沿って前記半導体ウェハをダイシングブレードによって切断することにより、前記半導体ウェハを複数の半導体チップに切り分ける工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/78 S
, H01L21/52 E
, H01L21/78 F
, H01L21/78 Q
