配線膜の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安田敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183875
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007050
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】銅系・銀系の金属配線膜をスパッタリング法によって形成する際に同時に金属配線膜中に水素ガスをドープさせることにより、金属配線膜材料の金属材料原子の拡散による移動を促進することである。【解決手段】孔・溝が形成された絶縁膜を有する基板の当該絶縁膜の表面を、銅もしくは銅合金又は銀もしくは銀合金の金属材料で被膜することにより、前記孔・溝の内部に該金属材料を充填して配線膜を形成する方法であって、水素ガスを含む不活性ガス雰囲気下においてスパッタリング法により前記金属材料による配線膜を形成した後、加熱処理することにより前記孔・溝内部に前記金属材料を充填する。

請求項（抜粋）：

孔・溝が形成された絶縁膜を有する基板の当該絶縁膜の表面を、銅もしくは銅合金又は銀もしくは銀合金の金属材料で被膜することにより、前記孔・溝の内部に該金属材料を充填して配線膜を形成する方法であって、前記金属材料による配線膜を形成した後、加熱処理することにより前記孔・溝内部に前記金属材料を充填することを特徴とする配線膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 , C23C 14/34 , C23C 14/58 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/285 S , C23C 14/34 M , C23C 14/58 A , H01L 21/88 M

Fターム (39件)：

4K029AA29 , 4K029BA04 , 4K029BA08 , 4K029BA21 , 4K029BA22 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029EA05 , 4K029EA08 , 4K029GA01 , 4M104BB32 , 4M104DD41 , 4M104DD42 , 4M104DD79 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH13 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ14 , 5F033JJ32 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP16 , 5F033PP18 , 5F033QQ09 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ86 , 5F033RR04 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033XX02

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-043623 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-152133 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-244966 出願人：株式会社日立製作所

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