半導体集積回路装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-259105
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097648
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】チップ面積の大幅な増大を招かずに、またプロセスの複雑化を招かずに、DRAMの救済セルのリフレッシュ時間を長くする技術を提供する。【解決手段】救済セルを形成する領域のフィールド酸化膜3の幅を通常のメモリセルを形成する領域のフィールド酸化膜3よりも大きくすることによって、救済セルの電界緩和層8rの深さを通常セルの電界緩和層8よりも深く形成し、救済セルのソース、ドレイン(n型半導体領域7)の空乏層を広げることにより、接合電界を低減する。

請求項（抜粋）：

メモリアレイに複数のメモリセルと複数の救済セルとが形成されたDRAMを有する半導体集積回路装置であって、前記救済セルが形成された領域の素子分離幅を、前記メモリセルが形成された領域の素子分離幅よりも大きくしたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 681 E , H01L 27/10 681 D , H01L 27/10 691

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-067669
半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-130406 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-125660

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審査官引用 (8件)

特開平2-125660
特開平4-067669
特開平4-067669

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引用文献：

出願人引用 (1件)

アドバンストエレクトロニクスシリーズ I-9 カテゴリ-I:エレクトロニクス材料・物性・デバイス超L, 19941105, 第14頁-第15頁

審査官引用 (1件)

アドバンストエレクトロニクスシリーズ I-9 カテゴリ-I:エレクトロニクス材料・物性・デバイス超L, 19941105, 第14頁-第15頁

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