特許
J-GLOBAL ID：200903030810456860
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091065
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288947
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】pnp横型バイポーラトランジスタの電流利得が小さいという問題を解決する。【解決手段】伝導帯の有効状態密度が1018cm-3以下の半導体で埋め込みベース層22、23、24を形成する。
請求項（抜粋）：
不純物が添加されたn型の第一の半導体層と、第一の半導体層上に形成された第二の半導体層であって、第一の半導体層よりも低濃度の不純物を含有するn型の第二の半導体層と、第二の半導体層上に互いに離間して形成されたp型の第三の半導体層及びp型の第四の半導体層とを備える半導体装置であって、第一の半導体層は第三の半導体層と第四の半導体層とに夫々対向する平面領域を備え、前記平面領域における第一の半導体層の禁止帯幅は、第二の半導体層の禁止帯幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/8228
, H01L 27/082
, H01L 21/8224
, H01L 29/205
H01L 29/72
, H01L 27/08 101 C
, H01L 27/08 101 V
, H01L 29/205
