光センサ素子、これを用いた平面表示装置、光センサ素子の製造方法、平面表示装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：三好秀和 , 三好保男 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-277864
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119494
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】スイッチング素子の多結晶シリコン膜と同層の多結晶シリコン膜を光センサ素子の半導体層として用いた場合に、スイッチング素子の特性を劣化されることなく光センサ素子の感度を向上させる。【解決手段】光センサ素子50のP型低濃度不純物領域84とN型高濃度不純物領域85の接合面を多結晶シリコン膜の表面に対して傾斜するように形成することにより、PN接合面の面積を拡大して光をより吸収しやすくする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

透明基板上に形成された多結晶シリコン膜にP型不純物が注入されたP型不純物領域とN型不純物が注入されたN型不純物領域とを備え、前記P型不純物領域と前記N型不純物領域との接合面が前記多結晶シリコン膜の表面に対して傾斜するように形成されたことを特徴とする光センサ素子。

IPC (3件)：

H01L27/146 , G02F1/1368 , H01L29/786

FI (3件)：

H01L27/14 C , G02F1/1368 , H01L29/78 613Z

Fターム (60件)：

2H092JA25 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092KA04 , 2H092KA10 , 2H092KA18 , 2H092KB25 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA27 , 2H092NA25 , 2H092NA29 , 2H092PA13 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA03 , 4M118CA18 , 4M118CA19 , 4M118CB06 , 4M118EA01 , 4M118EA20 , 4M118FB03 , 4M118FB08 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB24 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HL06 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110QQ04

引用特許：

審査官引用 (7件)

表示および撮像のための装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-000775 出願人：シャープ株式会社
グレートーンマスク、これを用いたパターンの形成方法およびイオン注入方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-024932 出願人：三星電子株式会社
特開平4-206969

全件表示

前のページに戻る