特許
J-GLOBAL ID:200903030836078197
酸化物超電導体及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
今井 毅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-361722
公開番号(公開出願番号):特開2000-178025
出願日: 1998年12月18日
公開日(公表日): 2000年06月27日
要約:
【要約】【課題】 電磁力や熱歪等の内外力や腐食環境に影響されずに高い捕捉磁場の確保や長期にわたる性能維持が可能な酸化物超電導体及びその製造法を提供する。【解決手段】1) 酸化物超電導体を、図2に例示する如く、樹脂含浸層を有した酸化物超電導バルク体(例えば希土類系銅酸化物超電導バルク体)から成る構成とする。なお、バルク体に適量のAgを添加しても良い。この酸化物超電導体は、減圧雰囲気下に保持した酸化物超電導バルク体と液状樹脂とを接触させて酸化物超電導バルク体に樹脂を含浸させることによって作成することができる。
請求項(抜粋):
樹脂含浸層を有した酸化物超電導バルク体から成ることを特徴とする、酸化物超電導体。
IPC (3件):
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01F 7/00
FI (3件):
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, H01F 7/00
Fターム (5件):
4G047JA02
, 4G047JC03
, 4G047KC05
, 4G047LA02
, 4G047LA06
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭63-260882
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特開平1-261286
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特開平1-282176
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