特許

J-GLOBAL ID：200903030837797146

半導体レーザ

発明者： 赤毛 勇一 ,  河野 健治 ,  竹内 博昭
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140703
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326413
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 高速変調動作における素子の静電容量による制限をなくし、高速変調動作の飛躍的な向上を実現すること。【解決手段】 半絶縁性の半導体基板6上にDFB半導体レーザ部4と、半導体電界吸収型変調器部5とを有し、その半導体電界吸収型変調器部5の電極構造を進行波型電極3とする。進行波型電極3の特性インピーダンスは、外部から供給されるマイクロ波の反射を低減するために外部電圧供給源と同じインピーダンスであることが望ましい。

請求項（抜粋）：

半導体電界吸収型変調器を集積化した半導体レーザにおいて、該半導体電界吸収型変調器の電極構造を進行波電極構造としたことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (5件)：

H01S 5/026 ,  G02F 1/025 ,  H01L 21/28 301 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/50 630

FI (5件)：

H01S 5/026 ,  G02F 1/025 ,  H01L 21/28 301 G ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/50 630

Fターム (29件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079EB04 ,  2H079EB12 ,  2H079HA15 ,  2H079KA18 ,  4M104AA04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104FF03 ,  4M104FF09 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F073AA61 ,  5F073AA64 ,  5F073AB12 ,  5F073AB21 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB03 ,  5F073CB22 ,  5F073DA30 ,  5F073EA14

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平2-191912
  
• 特開平3-149529
  
• 吸収形半導体光変調器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-328635   出願人：日本電信電話株式会社
• 画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-096047   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平3-225320
  
• 半導体光機能素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-280985   出願人：日本電気株式会社