特許
J-GLOBAL ID：200903030847250900
半導体レーザ装置、半導体レーザアレー装置及び光伝送装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372581
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189529
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 本願発明は、高精度の発振波長を確保することが出来る半導体レーザ装置および半導体レーザアレー装置を提供することである。本願の別な目的は、高精度の発振波長を確保しつつ、雰囲気温度の影響を抑えた半導体レーザ装置および半導体レーザアレー装置を提供することである。【解決手段】 本願発明の代表例は、半導体基板の上部に、前記半導体基板側の第1のクラッド領域と、活性層領域と、前記活性層領域を挟んで前記半導体基板と反対側に配された第2のクラッド領域と、活性層領域における光の進行方向に平行な当該活性層領域の両側部に前記活性層領域と比較し電気抵抗が高く且つ前記半導体基板より大きな屈折率を有する第1の半導体領域および前記第1の半導体領域と前記第2のクラッド領域の一部との間に形成された絶縁性ないしは半絶縁性の第2の半導体領域と、前記活性層領域に電流を注入する為の第1の電極および第2の電極とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上部に、前記半導体基板側の第1のクラッド領域と、活性層領域と、前記活性層領域を挟んで前記半導体基板と反対側に配された第2のクラッド領域と、活性層領域における光の進行方向に平行な当該活性層領域の両側部に前記活性層領域と比較し電気抵抗が高く且つ前記半導体基板より大きな屈折率を有する第1の半導体領域および前記第1の半導体領域と前記第2のクラッド領域の一部との間に形成された絶縁性ないしは半絶縁性の第2の半導体領域と、前記活性層領域に電流を注入する為の第1の電極および第2の電極とを、有することを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (11件)：
5F073AA09
, 5F073AA20
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AB06
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073DA14
, 5F073EA04
, 5F073EA23
, 5F073FA24
出願人引用 (2件)
-
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-301290
出願人：古河電気工業株式会社
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特開平1-173686
審査官引用 (2件)
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半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-301290
出願人：古河電気工業株式会社
-
特開平1-173686
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