特許

J-GLOBAL ID：200903030851251776

半導体装置

発明者： 鈴木 岳洋
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-156066
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347338
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 ボンディングパッドと第2配線層および絶縁膜との密着性が良好であり、かつ、ボンディングパッドに加えられる力により、ボンディングパッドと第2配線層との間の絶縁膜に亀裂が入ったり、第2配線層が断線したりすることを防止できる半導体装置を提供する。【解決手段】 動作領域が形成されている半導体基板1と、半導体基板1上に形成された第1配線層3と、第1配線層3上に層間絶縁膜4を介して形成された第2配線層5と、動作領域と重なるように形成されたボンディングパッド6とを備え、第2配線層5がボンディングパッド6の下方に複数の配線を有し、上記配線の一部がボンディングパッド6と接合されている一方、他の配線とボンディングパッドとの間に無機絶縁膜8が形成されている半導体装置において、第2配線層5により発生した無機絶縁膜8の凹部8aに対し、凹部8aを埋めて平坦化するための塗布シリコン酸化膜10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された領域である動作領域を有する半導体基板と、上記半導体基板上に形成され、上記動作領域と電気的に接続された第1配線層と、上記第1配線層上に層間絶縁膜を介して形成された第2配線層と、少なくとも一部が動作領域と重なるように形成された、外部との電気的接続のためのボンディングパッドとを備え、上記第2配線層が、上記ボンディングパッドの下方空間に複数の配線を有し、上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている一方、他の配線とボンディングパッドとの間に絶縁膜が形成され、第2配線層における配線間の間隙に起因して絶縁膜表面に凹部が形成されている半導体装置において、上記絶縁膜表面の凹部に対し、該凹部を埋めて平坦化するための平坦化膜が形成されており、上記平坦化膜が、上記絶縁膜と異なり、かつ、無機系の絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/92 602 K

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-111781   出願人：シャープ株式会社