特許
J-GLOBAL ID：200903038925528385

半導体装置

発明者：
豊沢 健司

豊沢 健司 について

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小野 敦

小野 敦 について

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千川 保憲

千川 保憲 について

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坂口 修久

坂口 修久 について

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中村 仲栄

中村 仲栄 について

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中田 行則

中田 行則 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-111781
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008247
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 第2層間絶縁膜10bの破壊、およびバリアメタル13の層間絶縁膜10からの剥離を防止する。安価で品質、信頼性の高いエリアパッド構造の半導体装置を安定して量産する。上記半導体装置の歩留りを向上させる。【解決手段】 アクティブ素子20上に形成された層間絶縁膜10とバリアメタル13との間に、上記バリアメタル13と密着性の高い例えば窒化シリコン膜からなる絶縁膜11を設ける。これにより、バリアメタル13、絶縁膜11、層間絶縁膜10の3層の密着性が確実に増し、ボンディング時またはボンディング後に電極パッド30に外力が加わった場合でも、バリアメタル13がその下層から剥がれにくくなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板のアクティブ素子上に、電極パッドのパッドメタルを形成するためのバリアメタル層が層間絶縁膜を介して設けられた半導体装置において、上記層間絶縁膜と上記バリアメタル層との間に、上記バリアメタル層と密着性の高い絶縁膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
FI (5件)：
H01L 21/88 T ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/92 602 J
引用特許：
審査官引用 (18件)
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-175681   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開昭58-086733
  • 特開昭58-086733
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