特許
J-GLOBAL ID:200903030870850982
精密機械的な構造要素、及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-389728
公開番号(公開出願番号):特開2002-301695
出願日: 2001年12月21日
公開日(公表日): 2002年10月15日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 重大な結果を招く幾つかの欠点を有さずにフッ化水素ガスエッチング法による犠牲層除去を行う。【解決手段】 僅かな層及びホトリソグラフィー工程しか必要としない自由可動な構造下に埋設された導体路と同様に犠牲層も同じ層からなる精密機械的な構成素子及び製造方法を提供する。
請求項(抜粋):
基板(1)の上方で可動に懸垂された機能構成部分を有し、基板(1);基板(1)の上に設けられた第1の絶縁層(2);第1の絶縁層(2)の上に設けられた、導体路領域(4)を有する第1の精密機械的な機能層(3);導体路領域(4)及び第1の絶縁層(2)の上に設けられた第2の絶縁層(6);第2の絶縁層(6)の上に設けられた第3の絶縁層(9);第3の絶縁層(9)の上に設けられた、第1及び第2のトレンチ(17,18)を有する第2の精密機械的な機能層(13)を有し、その際、第1のトレンチ(17)は第2の精密機械的な機能層(13)中の機能構成部分(25)及び可動に懸垂された機能構成部分(25)に隣接して少なくとも第3の絶縁層(9)にまで達し、第2のトレンチ(18)は導体路領域(4)の上の第3の絶縁層(9)にまで達する、精密機械的な構成素子。
IPC (4件):
B81B 3/00
, B81C 1/00
, G01P 15/125
, H01L 29/84
FI (4件):
B81B 3/00
, B81C 1/00
, G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
Fターム (16件):
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA23
, 4M112CA26
, 4M112DA03
, 4M112DA06
, 4M112DA07
, 4M112DA10
, 4M112DA11
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA10
, 4M112EA11
, 4M112FA20
引用特許:
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