特許

J-GLOBAL ID：200903030878231114

コンデンサ

発明者： 厚主 成生
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089965
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286148
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 実装時の信頼性を向上させ、低インダクタンス構造を有するコンデンサを提供する。【解決手段】基板1上に、第1電極層2、誘電体層3、第2電極層4を積層して成る複数の容量発生領域(容量素子A〜D)を配置するとともに、前記誘電体層3の領域以外で、隣接する一方の容量素子Aの第1電極層2a及び第2電極層4bは、他方のの容量素子Bの第2電極層4b及び第1電極層2bに接続し、該各電極の接続部分に端子電極5、6を形成したコンデンサである。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1電極層、誘電体層、第2電極層を積層して成る複数の容量発生領域を配置するとともに、前記誘電体層の領域以外で、隣接する一方の容量発生領域の第1電極層及び第2電極層を、他方の容量発生領域の第2電極層及び第1電極層に接続し、且つ該各電極の接続部分に端子電極を形成したことを特徴とするコンデンサ。

IPC (4件)：

H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H05K 1/16

FI (3件)：

H01G 4/06 102 ,  H05K 1/16 D ,  H01L 27/04 C

Fターム (46件)：

4E351AA06 ,  4E351AA12 ,  4E351AA13 ,  4E351AA14 ,  4E351BB03 ,  4E351BB04 ,  4E351BB32 ,  4E351CC01 ,  4E351CC10 ,  4E351CC15 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD11 ,  4E351DD17 ,  4E351DD19 ,  4E351DD20 ,  4E351DD23 ,  4E351DD42 ,  4E351GG07 ,  4E351GG09 ,  5E082AB03 ,  5E082BB02 ,  5E082BB05 ,  5E082BC14 ,  5E082BC33 ,  5E082EE05 ,  5E082EE17 ,  5E082EE23 ,  5E082EE26 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG41 ,  5E082FG42 ,  5E082KK01 ,  5E082MM28 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038AC19 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CA02 ,  5F038CA10 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-141757   出願人：京セラ株式会社
• 積層型コンデンサおよびコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-233133   出願人：京セラ株式会社
• 特開昭64-084616
  
• 特開昭64-084616