特許

J-GLOBAL ID：200903030888697782

プラズマ反応装置

発明者： 星子 高広
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230149
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077147
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 ウェハの面内均一なエッチングが可能なECRエッチング装置を提供すること。【構成】 ブラズマ生成室3の天井の中央部にマイクロ波導入管18が取付けられている。17はマイクロ波導入口であり、マイクロ波導入口17は中央が壁で周囲が開口19の同軸状をしており、マイクロ波は開口19からプラズマ生成室3内に導入される。マイクロ波導入口17は同軸状をしているので、プラズマ生成室3内の側壁近傍にも十分な量のマイクロ波を導入でき、したがってプラズマ生成室3の側壁近傍へのプラズマ濃度を高くできる。これによりウェハ9の面内均一なエッチングが可能となる。

請求項（抜粋）：

プラズマ生成室と、前記プラズマ生成室内に磁場を発生させる磁場発生手段と、前記プラズマ生成室に設けられ、前記プラズマ生成室内に反応性ガスを導入するガス導入口と、前記プラズマ生成室の側壁の近傍に設けられ、前記プラズマ生成室内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入口と、を備えたプラズマ反応装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-263321
  
• プラズマプロセス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-055382   出願人：株式会社日立製作所