特許
J-GLOBAL ID：200903030919096197

熱処理装置及びその方法

発明者：
木戸口 克己

木戸口 克己 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-315916
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134913
出願日： 1995年11月09日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】 加圧酸化処理を行うときに、半導体ウエハの搬入時に巻き込んだ大気による自然酸化膜の成長を抑えること、及び1台の装置で加圧酸化処理を行うことができ、しかも水素ガスを用いたシンタリングなどの処理を安全に行うことができるようにすること。【解決手段】 耐圧容器1の中に反応管3を設け、反応管3の一端側からウエハボート32を搬入し、反応管3内及び耐圧容器1内を加圧雰囲気にしながら他端側で水素ガス及び酸素ガスを燃焼させて湿式酸化処理を行う。ここで耐圧容器1及び反応管3に排気管43、47を介して真空ポンプ46を接続し、反応管3及び耐圧容器1内を減圧した後加圧酸化処理を行うことで、大気を追い出すようにする。また反応管3内の大気を追い出せば、この中に水素ガスを供給して例えば常圧でシンタリングを行うことができる。
請求項（抜粋）：
耐圧容器内に設けられた反応管と、この反応管内を加熱するために反応管の周囲に設けられた加熱手段と、複数枚の被処理基板を並列に保持して前記反応管内に耐圧容器の外から搬入される被処理基板保持具と、前記耐圧容器及び反応管内を加圧雰囲気にする圧力調整手段と、前記反応管内に処理ガスを導入するためのガス導入管と、前記反応管内を真空排気するための真空排気手段と、を備えたことを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
H01L 21/31 E ,  H01L 21/316 S
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開昭55-130168
  • 高圧酸化処理方法及び高圧酸化炉
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-321130   出願人：東京エレクトロン東北株式会社
  • 特開昭53-123667
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM