特許
J-GLOBAL ID:200903030941618652

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-029725
公開番号(公開出願番号):特開平9-223848
出願日: 1996年02月16日
公開日(公表日): 1997年08月26日
要約:
【要約】【課題】 3次元半導体集積回路を実現する。【解決手段】 半導体集積回路は、半導体素子が一方の主面上に集積化された半導体基板と、この基板上に配置された絶縁層と、絶縁層上に配置された一つ以上の半導体素子と、絶縁層に形成された窓を通り、半導体基板上に集積化された半導体素子と絶縁層上に配置された一つ以上の半導体素子とを電気的に接続する配線を有する。
請求項(抜粋):
半導体素子が一方の主面上に集積化された半導体基板と、該基板上に配置された絶縁層と、該絶縁層上に配置された一つ以上の半導体素子と、前記絶縁層に形成された窓を通り、前記半導体基板上に集積化された半導体素子と前記絶縁層上に配置された一つ以上の半導体素子とを電気的に接続する配線を有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件):
H01S 3/18 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 31/12
FI (3件):
H01S 3/18 ,  H01L 27/00 301 A ,  H01L 31/12 J
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-299259
  • 特開平1-133341
  • 積層型半導体集積回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-263544   出願人:シャープ株式会社

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