特許
J-GLOBAL ID：200903030954316213
半導体膜の除去加工方法及び光起電力素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-139226
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099335
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 エネルギービームの照射により、下地層に悪影響を与えることなく、半導体膜のみを除去加工する。【構成】 半導体膜3の被加工部3aに第1のエネルギービーム4を照射して被加工部3aの領域に歪みを与えた後、第2のエネルギービーム5を照射して被加工部を除去し、除去部3bを形成する。
請求項（抜粋）：
エネルギービームを照射することにより半導体膜の少なくとも一部を除去加工する方法であって、前記半導体膜の被加工部に第1のエネルギービームを照射した後、前記第1のエネルギービームとは異なるエネルギー密度を有する第2のエネルギービームを照射することを特徴とする半導体膜の除去加工方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01L 21/268
, H01L 21/302
H01L 31/04
, H01L 21/302 Z
