特許
J-GLOBAL ID：200903030993352731
磁気ディスク記録装置およびデュアル磁気抵抗センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234884
公開番号（公開出願番号）：特開平9-147326
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 デュアル差動スピン・バルブ構造を有する磁気抵抗(MR)センサを提供する。【解決手段】 スピン・バルブ32,34の各々が、非磁性材料の薄膜33,39によって分離された、第1の(自由)層31,39と、第2の(束縛)層35,43とを有する。各スピン・バルブ32,34の強磁性材料の束縛層35,43の磁化の方向を一定にし、それらの配向を互いに逆平行に設定する。電流は、MRセンサ30によって発生され、MRセンサ30の電圧の変化は、検知される磁界の関数としての、強磁性材料の自由層31,39の磁化の回転によって起こるMRセンサ30の抵抗の変化によって検知される。
請求項（抜粋）：
データを記録する複数のトラックを有する磁気記憶媒体と、磁気抵抗読み取りセンサを有し、前記磁気記憶媒体との間の相対的移動の際前記磁気記憶媒体に対して近接して間隔を置いた位置に保持される磁気トランスデューサとを具備し、前記磁気抵抗読み取りセンサが、スペーサ層によって分離される第1および第2の層構造を具備し、前記層構造の各々が、非磁性材料層によって分離される第1および第2の強磁性材料層を有し、前記層構造の各々の前記第2の強磁性材料層の磁化の方向を一定にする手段を具備し、前記第1の層構造の前記第2の強磁性材料層の前記磁化の方向が、前記第2の層構造の前記第2の強磁性材料層の磁化の方向に対して、逆平行の方向に一定となり、前記磁気抵抗読み取りセンサを流れる電流を発生する手段を具備し、前記磁気抵抗読み取りセンサは、前記層構造の各々の前記第1の強磁性材料層の磁化の回転によって、外部磁界に応じて抵抗率を変化させ、前記磁気トランスデューサに結合され、前記磁気記録媒体上の選択されたトラックに対して前記磁気トランスデューサを移動するアクチュエータ手段を具備し、前記磁気抵抗読み取りセンサに結合され、前記磁気抵抗読み取りセンサによって検出される前記磁気記憶媒体に記録されたデータ・ビットを表す磁界に応じた前記磁気抵抗材料の抵抗の変化を検出する検出手段を具備する、磁気ディスク記録装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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