特許
J-GLOBAL ID：200903031002473222
CMP用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-326085
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093785
出願日： 2003年09月18日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】エロージョンを低減するとともに、実用的な研磨速度で被研磨面を研磨可能なスラリーを提供する。【解決手段】エロージョンを低減しつつ被処理基板を研磨する為には、遊離砥粒を低減することが有効である事に着目し、研磨粒子としての無機粒子を研磨布に固定しつつ研磨を行うことを見いだした。研磨布への研磨粒子の固定は、樹脂粒子、無機粒子を含有するスラリーに、重合性成分、および重合開始剤を配合し、重合成分を重合させることにより達成する事が出来る。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
樹脂粒子、無機粒子、重合性成分、および重合開始剤を含有することを特徴とするCMP用スラリー。
IPC (3件)：
H01L21/304
, B24B37/00
, C09K3/14
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550C
, C09K3/14 550Z
3C058AA07
, 3C058CA01
, 3C058CB02
, 3C058DA02
, 3C058DA12
