特許

J-GLOBAL ID：200903031047825880

化合物半導体素子及びその製造方法

発明者： 猪口 和彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018561
公開番号（公開出願番号）：特開平9-214054
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 SiC基板を用いた化合物半導体素子では、SiC基板の表面に格子欠陥が多く存在するため、その上に積層する化合物半導体層にも格子欠陥を誘起させることになる。そのため、発光ダイオード素子においては、高温動作特性や素子信頼性を低下させる原因となり、半導体レーザ素子においては、電流注入によるレーザ発振が未だ実現されていない。従って、本発明の目的は、SiC基板表面の格子欠陥から発生する化合物半導体層の格子欠陥を減少させることにより、高効率の化合物半導体発光素子を提供することにある。【解決手段】 SiC基板の直上に格子欠陥を吸収するSiC成長層を成長させ、その上にGaAlInN系化合物半導体素子を積層させ、化合物半導体レーザ素子を作製することで、SiC基板の表面上の格子欠陥から誘起される格子欠陥が少ない化合物半導体素子が作製でき、低い発振閾値電流値でのレーザ発振が可能となった。

請求項（抜粋）：

SiC基板と、該SiC基板の直上に、該SiC基板の格子欠陥を吸収するSiC成長層と、該SiC成長層の上に、積層されたGaXAlYIn1-X-YN(0≦X≦1,0≦Y≦1)層とを、具備していることを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• pn接合型発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320847   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-242985
  
• 特開平4-242985
  
• 特開平4-242985