特許

J-GLOBAL ID：200903031074542695

パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器

発明者： 長谷井 宏宣
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-095976
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005676
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】バンクの端部においても液滴を円滑に配置でき、所望のパターン形状を有する膜パターンを形成できるパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 本発明のパターンの形成方法は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターン33を形成する方法であって、基板上に膜パターン33に応じたバンクBを形成する工程と、バンクB、B間の溝部34の端部36、38に液滴を配置する工程と、端部36、38に液滴を配置した後、溝部34のうち端部36、38以外の位置に液滴を配置する工程とを有する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、 前記基板上に所定のパターン形状でバンクを形成する工程と、 前記バンク間の溝部の端部に液滴を配置する工程と、 前記端部に液滴を配置した後、前記溝部のうち前記端部以外の位置に液滴を配置する工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法。

IPC (13件)：

H01L21/288 ,  B05D1/26 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

FI (14件)：

H01L21/288 Z ,  B05D1/26 Z ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 338 ,  H01L21/28 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 B ,  H05B33/14 A ,  H01L21/88 B ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J

Fターム (134件)：

2H092GA24 ,  2H092GA32 ,  2H092GA50 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB21 ,  2H092KA18 ,  2H092KA20 ,  2H092KB04 ,  2H092KB06 ,  2H092NA27 ,  2H092RA10 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  3K007GA00 ,  4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC88 ,  4D075AC93 ,  4D075AE03 ,  4D075CA22 ,  4D075CA36 ,  4D075CA37 ,  4D075CA47 ,  4D075CB38 ,  4D075DA04 ,  4D075DA06 ,  4D075DB01 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB31 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EA07 ,  4D075EA10 ,  4D075EA45 ,  4D075EB13 ,  4D075EB16 ,  4D075EB22 ,  4D075EB32 ,  4D075EB39 ,  4D075EB43 ,  4D075EB49 ,  4D075EC10 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104GG08 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH28 ,  5F033HH38 ,  5F033HH40 ,  5F033MM01 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE05 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE47 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK41 ,  5F110NN12 ,  5F110NN24 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB06 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-078149   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 積層型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-017134   出願人：セイコーエプソン株式会社
• ミクロファブリケーション用基板、その製造方法および像状薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-240761   出願人：富士写真フイルム株式会社

審査官引用 (2件)

• ミクロファブリケーション用基板、その製造方法および像状薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-240761   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-078149   出願人：セイコーエプソン株式会社