特許

J-GLOBAL ID：200903031075840169

不揮発性半導体記憶装置、その書き込み・リセット方法、及び、その読み出し方法

発明者： 井上 剛至 ,  野澤 博
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  野澤 博
代理人 (2件)： 政木 良文 ,  橋本 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-148531
公開番号（公開出願番号）：特開2004-355670
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】低消費電力で高速動作が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性のメモリセル30は電圧印加で抵抗値が変化し電圧印加後もその抵抗値を保持する可変抵抗素子の一端側と選択トランジスタのドレインとを接続してなり、メモリセルアレイ1内において、メモリセル30は、行方向の一方側に隣接する他のメモリセルと、選択トランジスタのソース同士を共通の第1列選択線C0、C1に接続し、行方向の他方側に隣接する他のメモリセルと、可変抵抗素子の他端側同士を共通の第2列選択線B1、B2に接続し、行方向に配列するメモリセル30の各行に2本の行選択線W0、W1...が設けられ、行方向に隣接する一方のメモリセルの選択トランジスタのゲートが2本の行選択線の一方側と接続し、他方のメモリセルの選択トランジスタのゲートが2本の行選択線の他方側と接続してなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

不揮発性のメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列し、その中から所定のメモリセルまたはメモリセル群を選択するために、行方向に複数の行選択線を配列し、列方向に夫々複数の第1列選択線と複数の第2列選択線とを配列してなるメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置であって、 前記メモリセルの夫々は、電気的ストレスによる電気抵抗の変化により情報を記憶する可変抵抗素子と選択トランジスタを備え、前記可変抵抗素子の一端側と前記選択トランジスタのドレインとを接続し、前記可変抵抗素子の他端側と前記選択トランジスタのソースが前記メモリセルの2つの列接続端子を形成するとともに、前記選択トランジスタのゲートが行接続端子を形成し、 前記メモリセルアレイ内において、前記メモリセルは、行方向の一方側に隣接する他の前記メモリセルと、前記列接続端子の一方同士を共通の前記第1列選択線に接続し、行方向の他方側に隣接する他の前記メモリセルと、前記列接続端子の他方同士を共通の前記第2列選択線に接続し、 行方向に配列する前記メモリセルの各行に2本の前記行選択線が設けられ、行方向に隣接する2つの前記メモリセルにおいて、一方の前記メモリセルの前記行接続端子が前記2本の前記行選択線の一方側と接続し、他方の前記メモリセルの前記行接続端子が前記2本の前記行選択線の他方側と接続してなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C13/00 ,  H01L27/10

FI (2件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 421

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA11 ,  5F083ZA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜磁性体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-346896   出願人：三菱電機株式会社
• 特許第6473332号
  
• センスアンプの動作マージンを改善した不揮発性半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-308399   出願人：富士通株式会社