センスアンプの動作マージンを改善した不揮発性半導体メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-308399
公開番号（公開出願番号）：特開2003-123492
出願日： 2001年10月04日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】センスアンプの動作マージンを大きくするワード線駆動方法を提供する。【解決手段】不揮発性半導体メモリは,コア側セルアレイのビット線電流に対応したコア側入力電圧(SAI)と,レファレンス側セルアレイのビット線電流に対応したレファレンス側入力電圧(SAREF)とを比較するセンスアンプ(26)と,コア側のワード線を選択して駆動するコア側デコーダ・ドライバ(14)と,レファレンス側のワード線を選択して駆動するレファレンス側デコーダ・ドライバ(20)とを有する。そして,コア側デコーダ・ドライバとレファレンス側デコーダ・ドライバが,入力アドレスの変化後の第1の時間に,コア側ワード線とレファレンス側ワード線とを電源電圧まで駆動し,更に,第1の時間後所定時間後の第2の時間に,コア側ワード線とレファレンス側ワード線とを電源電圧より高い昇圧レベルまで駆動する。それにより,アドレススキューの発生にかかわらず,ワード線の動作が一致し,センスアンプの動作マージンが大きくなる。

請求項（抜粋）：

複数のワード線,ビット線及びメモリセルを有するコア側セルアレイと,ワード線,ビット線及びレファレンスセルを有するレファレンス側セルアレイと,前記コア側セルアレイのビット線電流に対応したコア側入力電圧と,前記レファレンス側セルアレイのビット線電流に対応したレファレンス側入力電圧とを比較するセンスアンプと,入力アドレスの変化中にアドレス変化検出パルスを生成するアドレス変化検出回路と,前記コア側のワード線を選択して駆動するコア側デコーダ・ドライバと,前記レファレンス側のワード線を選択して駆動するレファレンス側デコーダ・ドライバとを有し,前記コア側デコーダ・ドライバとレファレンス側デコーダ・ドライバが,前記アドレス変化検出パルスの終了時の第1の時刻に,前記コア側ワード線とレファレンス側ワード線とを電源電圧まで駆動し,更に,前記アドレス変化検出パルスの終了後所定時間後の第2の時刻に,前記コア側ワード線とレファレンス側ワード線とを電源電圧より高い昇圧レベルまで駆動することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 16/02

FI (3件)：

G11C 17/00 633 B , G11C 17/00 634 E , G11C 17/00 601 D

Fターム (11件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD01 , 5B025AD03 , 5B025AD06 , 5B025AD07 , 5B025AD10 , 5B025AD15 , 5B025AE05 , 5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (4件)

メモリ装置で使用するための基準ワード線およびデータ伝播再生回路、ならびに、メモリ装置の読出のための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-075469 出願人：エッセ・ジ・エッセ・トムソン・ミクロエレクトロニクス・ソシエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
ワード線駆動回路及び半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-054773 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-267905 出願人：日本電気株式会社

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