特許
J-GLOBAL ID:200903031077602273
電子デバイスおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 手島 勝
, 藤田 篤史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-359271
公開番号(公開出願番号):特開2004-193325
出願日: 2002年12月11日
公開日(公表日): 2004年07月08日
要約:
【課題】高速のスイッチング動作が可能な電子デバイスとその製造方法とを提供する。【解決手段】本発明の電子デバイスは、基板10と、チタン酸バリウムからなる圧電素子膜11と、圧電素子膜11の上に設けられたソース電極12およびドレイン電極13と、ソース電極12とドレイン電極13との間に接続され、フタロシアニン誘導体の分子14が1次元的に連なった構造を有し、応力が加わると電気特性が導電性から絶縁性に変化する性質を有するナノワイヤー15とから構成されている。圧電素子膜11に電圧を印加すると、圧電素子膜11は横方向に伸張し、ソース電極12とドレイン電極13との間の距離が長くなり、ナノワイヤー15に応力が加わる。これにより、電子デバイスのスイッチングが可能となる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ソース部およびドレイン部と、
上記ソース部と上記ドレイン部とに接続され、応力に応じて電気特性が導電性と絶縁性との間で変化する性質を有するワイヤーと、
上記ワイヤーに応力を与えるための応力追加部材と
を備える電子デバイス。
IPC (6件):
H01L29/06
, H01L29/80
, H01L41/08
, H01L41/18
, H01L41/22
, H01L51/00
FI (6件):
H01L29/06 601N
, H01L29/80 A
, H01L41/08 D
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 Z
, H01L29/28
Fターム (7件):
5F102FB02
, 5F102GB01
, 5F102GD10
, 5F102GJ03
, 5F102GL10
, 5F102HC01
, 5F102HC11
引用特許:
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