特許

J-GLOBAL ID：200903031085363636

回路パターンの形成方法及びこの方法で形成された回路基板並びにこの回路パターンの形成方法に用いられるペースト

発明者： 渡会 祐介
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-109614
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294657
出願日： 2004年04月02日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】 回路パターンの形成工数を低減するとともに、回路パターンをファインラインでしかもファインピッチに形成する。【解決手段】 非導電性基板11上に回路パターン12を形成するには、先ず平均粒径200nm以下の金属粒子0.001〜80重量%を分散した水系ペースト又は有機溶媒系ペーストをマスクレス印刷法により非導電性基板11に塗布して所定のパターンのコーティング膜を形成する。次いでコーティング膜を乾燥した後に金属粒子の活性化処理を行って金属粒子からなる薄膜13を形成する。次に薄膜13を形成する金属粒子を核として無電解めっき法により薄膜の表面に無電解めっき層14を析出させる。更に無電解めっき層14上に電解めっき法により電解めっき層16を析出させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

平均粒径200nm以下の金属粒子0.001〜80重量%を分散した水系ペースト又は有機溶媒系ペーストをマスクレス印刷法により非導電性基板(11)に塗布して所定のパターンのコーティング膜を形成する工程と、 前記コーティング膜中の金属粒子の活性化処理を行うことにより前記金属粒子(53a)からなる薄膜(13,53)を形成する工程と、 前記薄膜(13,53)を形成する金属粒子(53a)を核として無電解めっき法により前記薄膜(13,53)の表面に無電解めっき層(14)を析出させる工程と を含む回路パターンの形成方法。

IPC (4件)：

H05K3/18 ,  C23C18/18 ,  C23C28/00 ,  C25D7/00

FI (6件)：

H05K3/18 B ,  H05K3/18 E ,  H05K3/18 G ,  C23C18/18 ,  C23C28/00 E ,  C25D7/00 J

Fターム (53件)：

4K022AA04 ,  4K022AA13 ,  4K022AA32 ,  4K022AA42 ,  4K022BA04 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA31 ,  4K022BA32 ,  4K022BA35 ,  4K022CA07 ,  4K022CA24 ,  4K022CA25 ,  4K022DA01 ,  4K022EA04 ,  4K024AA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024AB17 ,  4K024BA12 ,  4K024BA15 ,  4K024BB11 ,  4K024DA10 ,  4K044AA13 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA10 ,  4K044BB04 ,  4K044BB10 ,  4K044BB11 ,  4K044CA15 ,  4K044CA18 ,  4K044CA53 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA17 ,  5E343AA23 ,  5E343BB24 ,  5E343CC72 ,  5E343CC73 ,  5E343CC75 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343ER04 ,  5E343ER32 ,  5E343FF05 ,  5E343GG02 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 回路パターンの形成方法及びそのペースト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-307240   出願人：三菱マテリアル株式会社