特許
J-GLOBAL ID：200903031119310014
SOIウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-364907
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168789
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 SOI層の要求膜厚レベルが非常に小さい場合においても、ウェーハ内の膜厚均一性及びウェーハ間の膜厚均一性の双方を十分小さいレベルに軽減できるSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 ボンドウェーハ2上に多層エピタキシャル層として、第二のSi層23、第一のSiGe層22及び第一のSi層21をこの順序に形成し、水素イオン打ち込みにより第二のSi層23内に水素高濃度層を形成し、結合熱処理及び剥離を行う。すると、シリコン酸化膜3上には被剥離エピタキシャル層部分として、第一のSi層21、第一のSiGe層22及び剥離した第二のSi層23aの積層体が結合・一体化された状態となる。この剥離した第二のSi層23aを、第一のSiGe層22aをエッチストップ層とする形で選択エッチングする。
請求項（抜粋）：
第二シリコン単結晶基板の第一主表面上に、各々SixGe1-x(ただし、0≦x≦1)からなる単位層を、隣接する単位層同士の混晶比xが互いに相違するように積層した多層エピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長工程と、前記多層エピタキシャル層をなす単位層のうち、最表層部をなす単位層から見て一層以上基板側に位置する単位層または前記第二シリコン単結晶基板内を剥離対象領域として、前記多層エピタキシャル層の最表面側から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入することにより、前記剥離対象領域内にイオン注入層を形成するイオン注入層形成工程と、前記第二シリコン単結晶基板に形成された前記多層エピタキシャル層の最表面と、該第二シリコン単結晶基板とは別に用意された第一シリコン単結晶基板の第一主表面との少なくともいずれかに絶縁膜を形成し、該絶縁膜を介して前記多層エピタキシャル層と前記第二シリコン単結晶基板とを結合するとともに、前記イオン注入層において、前記多層エピタキシャル層の当該イオン注入層よりも前記絶縁膜側に位置する部分(以下、被剥離エピタキシャル層部分という)を、前記第一シリコン単結晶基板に結合した状態で、前記第二シリコン単結晶基板側の残余の部分から剥離する結合・剥離工程と、前記第一シリコン単結晶基板に前記絶縁層を介して結合された前記被剥離エピタキシャル層部分のうち、前記絶縁層と接して位置するものを含む1以上の単位層をSOI層として残しつつ、それよりも剥離面側に位置する1以上の層を、Ge含有率の差に基づいて選択エッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/306
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/306 B
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043GG10
