特許
J-GLOBAL ID：200903031126885812
ブロック共重合体を利用した微細パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-204672
公開番号（公開出願番号）：特開2009-042760
出願日： 2008年08月07日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：
【課題】ブロック共重合体を利用した微細パターンの形成方法を提供する。【解決手段】相互隣接した第1領域の間に第2領域が限定されるように、複数の第1領域が存在する基板で複数の第1領域を処理して第1パターンを形成し、第1領域及び第2領域上に第1成分及び第2成分を含むブロック共重合体を、ブロック共重合体の第1成分が第1領域上にアラインされるように配列させ、ブロック共重合体の第1成分及び第2成分のうち一つの成分を選択的に除去して、第1領域とそれに隣接した第2領域とのピッチよりさらに小さいピッチを有する第2パターンを形成する微細パターンの形成方法である。【選択図】図2I
請求項（抜粋）：
(a)相互隣接した第1領域の間に第2領域が限定されるように、複数の第1領域が存在する基板で前記複数の第1領域を処理して第1パターンを形成するステップと、
(b)前記第1領域及び第2領域上に第1成分及び第2成分を含むブロック共重合体を、前記ブロック共重合体の第1成分が前記第1領域上にアラインされるように配列させるが、
前記ブロック共重合体の第1成分は、前記第1領域に対して第1親和力を有し、前記ブロック共重合体の第2成分は、前記第2領域に対して第2親和力を有し、前記第1親和力は、前記第2親和力よりさらに大きく、
相互隣接した第1領域は、前記第1成分により覆われ、
前記第2領域で互いに離隔された第1部分及び第2部分は、前記第2成分により覆われ、前記第2領域のうち第3部分は、前記第1成分により覆われ、前記第3部分は、前記互いに離隔された第1部分と第2部分との間に位置し、
(c)前記ブロック共重合体の第1成分及び第2成分のうち一つの成分を選択的に除去して、前記第1領域とそれに隣接した第2領域とのピッチよりさらに小さいピッチを有する第2パターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/004
, H01L 21/027
, G03F 7/40
G03F7/004 521
, H01L21/30 570
, G03F7/40 521
, G03F7/40 511
2H025AA02
, 2H025AB14
, 2H025AB16
, 2H025AB20
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BH00
, 2H025DA34
, 2H025FA33
, 2H096AA25
, 2H096BA16
, 2H096CA06
, 2H096EA03
, 2H096EA06
, 2H096EA07
, 2H096HA05
, 2H096HA11
, 5F046JA22
