特許
J-GLOBAL ID：200903031127029197
加工寸法測定方法、半導体装置の製造方法および品質管理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306873
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237812
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 エリプソメトリを使い、ウェハ上に形成されたパターンの横方向への寸法を、非接触かつ非破壊に、しかも高速に求める加工物寸法測定工程を含み、求められた寸法にもとづいて半導体装置の製造プロセスを制御する。【解決手段】 ウェハ上に形成された、寸法が確認されている較正パターンについて、偏光状態パラメータを求めてデータベースを作成し、測定試料の偏光パラメータにもとづいてデータベースを検索し、寸法を求める。
請求項（抜粋）：
平坦な表面を有する基板上に形成された構造物の寸法を測定する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記構造物に、前記基板表面に対して所定の角度で、偏光した入射光ビームを入射させる照明工程と;前記入射光ビームが入射した前記構造物から出射する出射光ビームの偏光状態を測定する測定工程と;前記構造物の、前記基板表面に平行な方向への寸法を、前記偏光状態から求める評価工程とを含み;前記求められた寸法に基づいて、半導体装置の製造パラメータを調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01B 11/02
, H01L 21/02
, H01L 21/3065
H01L 21/66 J
, H01L 21/66 P
, H01L 21/66 Z
, G01B 11/02 Z
, H01L 21/02 Z
, H01L 21/302 B
