特許

J-GLOBAL ID：200903031142363605

トランジスタ

発明者： 本田 達也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-050406
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332584
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 ドレイン電流がゲート電圧の変動に影響されないような電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 オン状態(導通状態)にするには、しきい値電圧以上の電圧をゲート電極12により反転層形成領域19に印加して、反転層を形成する。反転層に誘起された電荷は、チャネル領域18に移動し、チャネル領域18のフェルミレベルを変動させて、ソース領域16とチャネル領域18とのポテンシャル障壁が小さくなっていく。やがて、この障壁を乗り越えてソース領域16からドレイン領域17へとキャリアが移動できるようになり、ドレイン電流が流れるようになる。

請求項（抜粋）：

チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域が設けられている半導体層と、該半導体層に接する絶縁膜と、該絶縁膜を介して前記半導体層に重なるゲート電極とを有するトランジスタにおいて、前記半導体層には、前記チャネル領域に接する他の半導体領域が設けられ、前記絶縁膜を介して、前記ゲート電極が前記チャネル領域に接する他の半導体領域に重なり、前記チャネル領域に重ならないように設けられていることを特徴とするトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 J

Fターム (50件)：

5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110EE24 ,  5F110EE29 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HM04 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F140AA00 ,  5F140AA23 ,  5F140AC16 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA10 ,  5F140BA13 ,  5F140BB01 ,  5F140BB15 ,  5F140BF01 ,  5F140BF51 ,  5F140BH02 ,  5F140BH15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• キャリアインジェクショントランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-239710   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 半導体素子およびそれを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-004348   出願人：株式会社日立製作所