薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを用いた液晶表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊田善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-115320
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018064
出願日： 1995年04月18日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】ゲート絶縁膜として良好な性質を有する二酸化シリコンを用い、且つ基板側からの半導体層のチャネル領域へ光が入射するのを防止した薄膜トランジスタを構成する。【構成】石英基板101上に多結晶シリコン層108、二ケイ化一タングステン層107、多結晶シリコン層109を形成してゲート電極102とし、該ゲート電極102表面を熱酸化して二酸化シリコン層を形成し、ゲート絶縁膜103とした後、上部に多結晶シリコン層104を設け、必要なドーピングを行なってソース/ドレイン領域、チャネル領域を形成してなる薄膜トランジスタ。

請求項（抜粋）：

透明基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル及びソース、ドレイン領域からなる半導体層とを順に設けてなる電界効果型の薄膜トランジスタであって、上記ゲート電極が少なくともシリコン層とケイ化金属層の2層からなり、上記ゲート絶縁膜の少なくともチャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (15件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-176389 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開昭58-218169
特開平4-360582

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