特許

J-GLOBAL ID：200903031159743150

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 桐 澤 亮 平
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194332
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077219
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置の高集積化を図る。【解決手段】 半導体基板10に溝11を形成する。この溝11底部における半導体基板10表面側にソース領域12を形成する。溝11が形成されていない半導体基板10表面側にドレイン領域14を形成する。溝11内側の側壁部分両側に電荷蓄積層としての浮遊ゲート30を形成する。このようにメモリセルトランジスタを立体的に形成することにより、不揮発性半導体記憶装置の高集積化を図ることが可能になる。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積層に電荷を蓄え及び蓄えた電荷を放出することが可能な複数のメモリセルトランジスタがグランドセルアレイを構成する不揮発性半導体記憶装置であって、前記グランドセルアレイのビット線とソース線のどちから一方を半導体基板に形成した溝の底部に前記半導体基板と逆導電型の拡散層で形成し、他方を前記溝底部以外の前記半導体基板の表面側に前記半導体基板と逆導電型の拡散層で形成し、前記電荷蓄積層は前記溝の内側における側壁部分に形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (34件)：

5F001AA02 ,  5F001AA13 ,  5F001AA31 ,  5F001AA43 ,  5F001AB02 ,  5F001AC06 ,  5F001AD15 ,  5F001AD21 ,  5F001AD24 ,  5F001AD51 ,  5F001AD61 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F001AG07 ,  5F001AG10 ,  5F083EP03 ,  5F083EP13 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP62 ,  5F083EP67 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER16 ,  5F083ER23 ,  5F083GA09 ,  5F083JA04 ,  5F083KA08 ,  5F083KA13 ,  5F083KA14 ,  5F083PR09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-001574
  
• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-300100   出願人：日本電気株式会社
• 電気的にプログラム可能なメモリセル装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-010089   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト