特許
J-GLOBAL ID：200903031160348044

変性金属錯体及びその用途

発明者：
古志野 伸能

古志野 伸能 について

, 
松永 忠史

松永 忠史 について

, 
東村 秀之

東村 秀之 について

, 
濱松 浩

濱松 浩 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (3件)： 飯田 敏三 ,  佐々木 渉 ,  宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-058582
公開番号（公開出願番号）：特開2009-057362
出願日： 2008年03月07日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：
【課題】金属を集積することで、耐酸性や熱安定性にも優れる変性金属錯体を提供する。また、触媒として好適な金属錯体を変性処理することで、より安定化した金属錯体化合物を提供する。さらに上記の変性金属錯体からなるカーボン化合物を用いた安定性に優れた触媒を提供する。【解決手段】分子内に含窒素芳香族複素環を1つと、フェノール環、チオフェノール環、アニリン環、および含窒素芳香族複素環からなる群から選ばれた構造を4つ以上有する有機化合物を配位子とする金属錯体を、加熱処理、放射線照射処理又は放電処理の何れかの処理により、処理前後の質量減少率を1質量%以上90質量%以下となるまで処理し、処理後の炭素含有率を5質量%以上とした変性金属錯体。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
分子内に含窒素芳香族複素環を1つと、フェノール環、チオフェノール環、アニリン環、および含窒素芳香族複素環からなる群から選ばれた構造を4つ以上有する有機化合物を配位子とする金属錯体を、加熱処理、放射線照射処理又は放電処理の何れかの処理により、処理前後の質量減少率を1質量%以上90質量%以下となるまで処理し、処理後の炭素含有率を5質量%以上とした変性金属錯体。
IPC (4件)：
C07D 213/36 ,  C07D 471/04 ,  B01J 31/22 ,  B01J 37/08
FI (4件)：
C07D213/36 ,  C07D471/04 112T ,  B01J31/22 M ,  B01J37/08
Fターム (56件)：
4C055AA01 ,  4C055BA03 ,  4C055BA08 ,  4C055BA16 ,  4C055BA27 ,  4C055CA01 ,  4C055DA01 ,  4C055EA03 ,  4C055GA02 ,  4C065AA04 ,  4C065AA19 ,  4C065BB09 ,  4C065CC09 ,  4C065DD02 ,  4C065EE02 ,  4C065HH04 ,  4C065HH06 ,  4C065JJ01 ,  4C065KK10 ,  4C065LL10 ,  4C065PP09 ,  4C065PP12 ,  4C065QQ10 ,  4G169AA06 ,  4G169AA08 ,  4G169BA08A ,  4G169BA08B ,  4G169BA27B ,  4G169BA28B ,  4G169BB12B ,  4G169BC31B ,  4G169BC62B ,  4G169BC66B ,  4G169BC67B ,  4G169BC68B ,  4G169BE01B ,  4G169BE08B ,  4G169BE13A ,  4G169BE13B ,  4G169BE20B ,  4G169BE21A ,  4G169BE37A ,  4G169BE37B ,  4G169BE38B ,  4G169EC27 ,  4G169FA01 ,  4G169FB29 ,  4G169FB58 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM