半導体表面層特性の測定評価方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安形雄三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-059549
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260841
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 Siウェーハ等の半導体表面層の断層特性を高分解能で非接触、非破壊で測定して評価できる方法を提供する。【解決手段】半導体の表面層にキャリアを励起するように電子エネルギーを選択的に前記半導体に照射し、前記表面層のキャリア挙動を検知することにより半導体表面層、表面特性又は界面特性を測定評価する。

請求項（抜粋）：

半導体の表面層にキャリアを励起するように電子エネルギーを選択的に前記半導体に照射し、前記表面層のキャリア挙動を検知することにより半導体表面層、表面特性又は界面特性を測定評価するようにしたことを特徴とする半導体表面層特性の測定評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G01N 21/00 , G01N 27/00

FI (3件)：

H01L 21/66 M , G01N 21/00 B , G01N 27/00 Z

Fターム (17件)：

2G059AA05 , 2G059BB16 , 2G059CC20 , 2G059EE01 , 2G059EE02 , 2G060AA09 , 2G060AE01 , 2G060AF04 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106BA02 , 4M106CA05 , 4M106CA18 , 4M106CB11 , 4M106CB19 , 4M106DH01 , 4M106DH33

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭61-114543
特開平1-181434
シリコン基板に埋め込まれた酸化膜の欠陥検出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-129739 出願人：新日本製鐵株式会社

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