特許
J-GLOBAL ID：200903031163654294

フォトマスク、フォトマスクの製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
津高 圭祐

津高 圭祐 について

, 
菅原 稔

菅原 稔 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069113
公開番号（公開出願番号）：特開平7-175204
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 多数のマスク条件パラメータについても相関関係を見い出せ、これらにより最適条件を求められ、実際との乖離も小さく、性能の定量的な把握が可能で、時間とコストの低減も図り得、マスクパターンサイズのばらつきなどの影響も考慮できるフォトマスク、その製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 デフォーカス裕度、マスクパターンサイズ裕度II、露光量裕度Iのいずれか1つを、あらかじめ設定した他の2つI,IIの範囲内の複数個のデータで組み合わせて、許容される該他の裕度1つの範囲III を求めることによりその最適値を決定する。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィー工程に用いられ、光透過領域と遮光領域を有するフォトマスクにおいて、あらかじめ設定したデフォーカス裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカス、マスクパターンサイズの値の組み合わせを設定し、更に露光量を変化させて、得られる転写パターンを求め、該パターンが設計時における許容条件を満たすか否かを判定し、これより前記においてあらかじめ設定したデフォーカス裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて許容条件を満たす露光量の範囲である露光量裕度を求め、更にマスクパラメータが、前記求められた露光量裕度を最大にする構成で設定されていることを特徴とするフォトマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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