特許
J-GLOBAL ID：200903031164540217

スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及び浮上式磁気ヘッド並びにスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法

発明者：
長谷川 直也

長谷川 直也 について

, 
斎藤 正路

斎藤 正路 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-336132
公開番号（公開出願番号）：特開2002-140805
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】 Exchange Bias方式を採用することが可能であって、トラック幅が狭くても再生感度を高くすることが可能なスピンバルブ型薄膜磁気素子を提供する。【解決手段】 第1固定磁性層5、第1非磁性導電層6、フリー磁性層7、第2非磁性導電層8、第2固定磁性層9が積層されてなる積層体11と、積層体11の積層突出部11aのトラック幅方向両側に位置してフリー磁性層7上に積層され、交換結合バイアス磁界によりフリー磁性層7の磁気モーメント方向を揃える反強磁性バイアス層32,32と、反強磁性バイアス層32,32上に積層されたリード層33、33からなり、リード層33,33から積層体11に検出電流が供給された状態で、第1、第2固定磁性層5、9の磁気モーメント方向が、検出電流の電流磁界によってフリー磁性層7の磁気モーメント方向の交差方向に固定されることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子1を採用する。
請求項（抜粋）：
第1固定磁性層、第1非磁性導電層及びフリー磁性層が順次積層されるとともに、第2非磁性導電層及び第2固定磁性層が前記フリー磁性層の一部上に順次積層されてなる積層突出部を具備する積層体と、前記積層突出部のトラック幅方向両側に位置して前記フリー磁性層上に積層され、交換結合バイアス磁界によりこのフリー磁性層の磁気モーメント方向を一方向に揃える一対の反強磁性バイアス層と、前記一対の反強磁性バイアス層上に積層されて前記積層体に検出電流を与える一対のリード層とからなり、前記リード層から検出電流が供給された状態で、前記第1、第2固定磁性層の磁気モーメント方向がそれぞれ、前記検出電流の電流磁界によって前記フリー磁性層の磁気モーメント方向の交差方向に固定されることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。
IPC (6件)：
G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (6件)：
G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
Fターム (20件)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD59 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA06 ,  5D034BA08 ,  5D034DA05 ,  5D034DA07 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12 ,  5E049DB20 ,  5E049GC01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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