半導体素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-218743
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083894
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】表面に異常析出した鉛又は鉛酸化物を除去することができ、誘電体薄膜表面を均一化でき、かつ、安定化させることができる誘電体薄膜の表面の特性を向上させ得る半導体素子の製造方法を提供する。【構成】半導体記憶装置の電荷蓄積層の形成において、基材上に鉛を構成元素とする誘電体薄膜16を形成し、その後、希硝酸水による処理と過酸化水素水による処理とを順に施す。

請求項（抜粋）：

(a)基材上に鉛を構成元素とする誘電体薄膜を形成し、(b)その後、希硝酸水による処理と過酸化水素水による処理とを順に施すことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/314 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-198933 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
電子部品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-021855 出願人：ティーディーケイ株式会社
特開平2-280114

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