特許
J-GLOBAL ID:200903031198364442
押圧加熱型セラミックヒータ
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-123145
公開番号(公開出願番号):特開2000-315568
出願日: 1999年04月28日
公開日(公表日): 2000年11月14日
要約:
【要約】【課題】半導体ベアチップを基板上にダイレクトボンドするための押圧加熱型セラミックヒータにおいて、小スペースでのベアチップ実装を可能とし、また、電極取出部の温度上昇を防ぐ。【解決手段】セラミックヒータ2のリード引出部24を、発熱体平面に対して垂直に配置する。
請求項(抜粋):
配線層を有する基板上に、下面に電極を備えた半導体ベアチップを載置し、該半導体ベアチップを上面側から押圧加熱して上記基板にハンダ等でダイレクトボンドするためのヒータであって、セラミックブロック体と、該セラミックブロック体の内部に埋設され、上記押圧方向とほぼ垂直な平面状の発熱体と、該発熱体に接続され、上記押圧方向とほぼ平行に配置されたリード引出部とから成ることを特徴とする押圧加熱型セラミックヒータ。
IPC (3件):
H05B 3/20 328
, H01L 21/52
, H05B 3/02
FI (3件):
H05B 3/20 328
, H01L 21/52 F
, H05B 3/02 B
Fターム (40件):
3K034AA02
, 3K034AA10
, 3K034AA15
, 3K034AA22
, 3K034AA34
, 3K034BB06
, 3K034BB14
, 3K034BC01
, 3K034BC16
, 3K034CA15
, 3K034CA25
, 3K034CA26
, 3K034CA32
, 3K034DA04
, 3K034HA01
, 3K034HA10
, 3K092PP09
, 3K092QA05
, 3K092QB02
, 3K092QB31
, 3K092QB45
, 3K092QB75
, 3K092QB76
, 3K092QC25
, 3K092QC43
, 3K092QC51
, 3K092QC52
, 3K092QC62
, 3K092RF03
, 3K092RF11
, 3K092RF17
, 3K092RF26
, 3K092UA05
, 3K092VV01
, 3K092VV04
, 3K092VV25
, 3K092VV28
, 3K092VV31
, 5F047BA06
, 5F047FA52
引用特許:
出願人引用 (3件)
-
セラミックヒータ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-254402
出願人:小松政男, 和泉正彦
-
接触加熱用ヒータ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-285546
出願人:京セラ株式会社
-
セラミック発熱体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-338685
出願人:京セラ株式会社
審査官引用 (1件)
-
セラミックヒータ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-254402
出願人:小松政男, 和泉正彦
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