特許
J-GLOBAL ID：200903031202112976
プラズマ真空基板処理方法およびシステム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243842
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127049
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 真空エンクロージャ内の活性ガスの流れを急速に変化させることができる、プラズマ真空基板処理方法およびシステムを提供する。【解決手段】 真空エンクロージャ1内に配置された基板16を処理するための方法において、本発明は、制御されたガス吸気手段3の近傍にある領域25に、補完流量の制御ガスを注入することによって、活性ガス供給パイプ4を介する活性ガス供給流量の変動の補償を与える。これは、圧力制御システムおよびインピーダンスマッチングシステムが、入力活性ガス流量の変動に1秒程度の時間で応答することができなくなることを避ける。
請求項（抜粋）：
プラズマ真空基板処理方法であって、制御された活性ガス注入手段(2)を介して注入され、制御されたガス吸気手段(3)を介して排気される活性ガスを含んでいる真空エンクロージャ(1)内に基板(16)が配置され、活性ガスはプラズマ発生手段(10)によってイオン化され、基板(16)は、制御された衝撃エネルギー発生装置(17、18)によって生成される電気衝撃エネルギーを受け取り、制御されたガス吸気手段(3)の真空エンクロージャ(1)内のガス圧力を調整する能力よりも大きい変動率での、注入される活性ガスの流れの少なくとも1回の変動シーケンスを含み、制御された衝撃エネルギー発生装置(17、18)によって見られるプラズマのインピーダンスが、活性ガス注入流れ変動シーケンス中に、補助補償手段(21)によってほぼ一定に維持されることを特徴とするプラズマ真空基板処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/507
, H01L 21/205
, H05H 1/46
C23C 16/507
, H01L 21/205
, H05H 1/46 L
, H01L 21/302 B
