特許
J-GLOBAL ID：200903031210843246
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001873
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208968
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】素子の集積化が進んでも、コンタクト部に起因する信頼性の低下や製品歩留まりの低下を防止し得る半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】シリコン基板311に形成された不純物拡散層312上に層間絶縁膜313を形成する工程と、不純物拡散層312上の層間絶縁膜313に開口部を形成する工程と、この開口部の不純物拡散層312の表面の自然酸化膜を除去して、不純物拡散層312にコンタクトする不純物拡散層312と同導電型の不純物を含むポリシリコン膜315を形成する工程と、ポリシリコン膜315とのコンタクト面積が、不純物拡散層312とポリシリコン膜315とのコンタクト面積より大きい、配線層316を形成する工程とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の第1の導体層間に形成され、層間絶縁膜によって前記第1の導体層と電気的に分離された被コンタクト層にコンタクトする第2の導体層を形成するに際し、前記第1の導体層間に前記被コンタクト層が形成された前記半導体基板の全面に、前記層間絶縁膜としての、膜厚が均一な第1の層間絶縁膜を堆積する工程と、 この第1の層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜としての、前記導体層間の周辺部の膜厚が前記導体層間の中央部の膜厚より厚い第2の層間絶縁膜を堆積する工程と、この第2の層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜としての、第3の層間絶縁膜を形成する工程と、この第3の層間絶縁膜を形成する前に、この第3の層間絶縁膜のエッチングに対して耐性を有するストッパ膜を前記第2の層間絶縁膜上に形成する工程と、前記第3の層間絶縁膜をエッチングし、開口幅が前記第1の導体層間の距離より大きい開口部を、前記被コンタクト層上の前記第3の層間絶縁膜に形成する工程と、前記開口部内の前記ストッパ膜を除去する工程と、前記導体層間の中央部の前記第1および前記第2の層間絶縁膜を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
