特許
J-GLOBAL ID:200903031212339030
銅の化学機械研磨用水系分散体
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
小島 清路
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-190799
公開番号(公開出願番号):特開2001-020087
出願日: 1999年07月05日
公開日(公表日): 2001年01月23日
要約:
【要約】【課題】 銅の化学機械研磨に用いられ、安定性に優れ、研磨速度が大きく、且つスクラッチ等の発生が少ない、半導体装置の製造において有用な水系分散体を提供する。【解決手段】 炭酸水素イオン及び/又は炭酸イオン、クエン酸イオン、シリカ粒子並びに過酸化水素及び/又は過酸化水素イオンを含有し、pH3〜10の範囲において、銅の化学機械研磨に有用な水系分散体を得る。クエン酸イオンは、クエン酸アンモニウム等より生成させることができる。シリカ粒子としては、ヒュームド法シリカ等を用いることができる。炭酸水素イオン及び/又は炭酸イオンの濃度は0.0002〜0.02モル/リットル、クエン酸イオンの濃度は0.0002〜0.5モル/リットル、シリカ粒子の含有量はは0.3〜15重量%、及び過酸化水素の含有量は0.01〜5重量%とすることが好ましい。
請求項(抜粋):
炭酸水素イオン及び/又は炭酸イオン、クエン酸イオン、シリカ粒子並びに過酸化水素及び/又は過酸化水素イオンを含有し、pHが3〜10であることを特徴とする銅の化学機械研磨用水系分散体。
IPC (7件):
C23G 5/06
, B24B 37/00
, C01B 33/14
, C09K 3/14 550
, C09K 3/14
, C09K 13/06 101
, H01L 21/304 622
FI (7件):
C23G 5/06
, B24B 37/00 H
, C01B 33/14
, C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
, C09K 13/06 101
, H01L 21/304 622 D
Fターム (28件):
3C058AA07
, 3C058CA04
, 3C058CB02
, 3C058CB03
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
, 4G072AA28
, 4G072BB05
, 4G072CC18
, 4G072EE01
, 4G072GG02
, 4G072HH17
, 4G072JJ11
, 4G072JJ34
, 4G072JJ41
, 4G072KK09
, 4G072KK17
, 4G072LL06
, 4G072MM02
, 4G072UU30
, 4K053PA02
, 4K053PA06
, 4K053RA13
, 4K053RA28
, 4K053RA45
, 4K053SA12
引用特許:
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