特許
J-GLOBAL ID:200903031212339030

銅の化学機械研磨用水系分散体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 清路
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-190799
公開番号(公開出願番号):特開2001-020087
出願日: 1999年07月05日
公開日(公表日): 2001年01月23日
要約:
【要約】【課題】 銅の化学機械研磨に用いられ、安定性に優れ、研磨速度が大きく、且つスクラッチ等の発生が少ない、半導体装置の製造において有用な水系分散体を提供する。【解決手段】 炭酸水素イオン及び/又は炭酸イオン、クエン酸イオン、シリカ粒子並びに過酸化水素及び/又は過酸化水素イオンを含有し、pH3〜10の範囲において、銅の化学機械研磨に有用な水系分散体を得る。クエン酸イオンは、クエン酸アンモニウム等より生成させることができる。シリカ粒子としては、ヒュームド法シリカ等を用いることができる。炭酸水素イオン及び/又は炭酸イオンの濃度は0.0002〜0.02モル/リットル、クエン酸イオンの濃度は0.0002〜0.5モル/リットル、シリカ粒子の含有量はは0.3〜15重量%、及び過酸化水素の含有量は0.01〜5重量%とすることが好ましい。
請求項(抜粋):
炭酸水素イオン及び/又は炭酸イオン、クエン酸イオン、シリカ粒子並びに過酸化水素及び/又は過酸化水素イオンを含有し、pHが3〜10であることを特徴とする銅の化学機械研磨用水系分散体。
IPC (7件):
C23G 5/06 ,  B24B 37/00 ,  C01B 33/14 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/06 101 ,  H01L 21/304 622
FI (7件):
C23G 5/06 ,  B24B 37/00 H ,  C01B 33/14 ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/06 101 ,  H01L 21/304 622 D
Fターム (28件):
3C058AA07 ,  3C058CA04 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  4G072AA28 ,  4G072BB05 ,  4G072CC18 ,  4G072EE01 ,  4G072GG02 ,  4G072HH17 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ34 ,  4G072JJ41 ,  4G072KK09 ,  4G072KK17 ,  4G072LL06 ,  4G072MM02 ,  4G072UU30 ,  4K053PA02 ,  4K053PA06 ,  4K053RA13 ,  4K053RA28 ,  4K053RA45 ,  4K053SA12
引用特許:
審査官引用 (1件)

前のページに戻る