特許
J-GLOBAL ID：200903031216556958

薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置

発明者：
本田 達也

本田 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-093513
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285843
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な薄膜トランジスタ、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタの作製方法は、凹部を有するゲート電極層を形成し、前記ゲート電極層上に凹部を有するゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を形成し、前記半導体層が有する前記凹部にフッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、前記組成物を除去し、前記マスクを用いて半導体層をパターニングすることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
凹部を有するゲート電極層を形成し、 前記ゲート電極層上に凹部を有するゲート絶縁層を形成し、 前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を形成し、 前記半導体層が有する前記凹部にフッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、 前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、 前記組成物を除去し、 前記マスクを用いて半導体層をパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
IPC (9件)：
H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H05B33/14
FI (8件)：
H01L29/78 617K ,  H01L21/20 ,  H01L21/288 Z ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 627C ,  H01L21/88 B ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 S
Fターム (191件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD24 ,  4M104DD28 ,  4M104DD51 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH09 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK10 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK33 ,  5F033LL04 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM17 ,  5F033MM20 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ86 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX14 ,  5F033XX34 ,  5F052AA11 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB03 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE24 ,  5F110EE27 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HK01
引用特許：
出願人引用 (1件)

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