特許
J-GLOBAL ID：200903067805008965

膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体

発明者：
橋本 貴志

橋本 貴志 について

, 
古沢 昌宏

古沢 昌宏 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323701
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133691
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】インクジェット法による膜パターンの形成方法を改善し、簡単な工程で効率よく厚膜化を達成し、細線化の要請も満たし、しかも、導電膜とした場合に断線や短絡等の問題を生じない膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】第1吐出工程では、液滴を配線形成領域全体に前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する。第2吐出工程では、前記液滴を前記配線形成領域全体の前記第1吐出工程における吐出位置と異なる位置に前記第1吐出工程と同じピッチで吐出する。第3吐出工程では、前記液滴を配線形成領域全体に前記第1吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで吐出する。前記基板は、予め前記液滴との接触角が60[deg]以上となるように処理をしておく。
請求項（抜粋）：
膜形成成分を含有した液体からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、複数の液滴を、前記膜形成領域全体に、前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第1吐出工程と、複数の液滴を、前記膜形成領域全体の前記第1吐出工程における吐出位置と異なる位置に、前記基板上に着弾した後の前記液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第2吐出工程とを有することを特徴とする膜パターンの形成方法。
IPC (2件)：
H05K 3/10 ,  B41J 2/01
FI (2件)：
H05K 3/10 D ,  B41J 3/04 101 Z
Fターム (29件)：
2C056FA15 ,  2C056FB02 ,  2C056FB04 ,  2C056FB05 ,  2C056FB10 ,  2C056FD10 ,  2C056HA46 ,  5E343AA12 ,  5E343AA18 ,  5E343AA22 ,  5E343AA26 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB72 ,  5E343CC25 ,  5E343CC26 ,  5E343DD15 ,  5E343DD18 ,  5E343EE36 ,  5E343EE37 ,  5E343ER33 ,  5E343ER35 ,  5E343ER44 ,  5E343ER45 ,  5E343FF05 ,  5E343GG08
引用特許：
審査官引用 (5件)
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