特許

J-GLOBAL ID：200903031256605404

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 平井 桂
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308286
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146502
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】移動度が高く、安定的な製造が可能なTFT及びその製造方法と、TFTを2次元的に配列したTFTシートにおけるパターンニング工程を削減し、簡便な方法で実質的なパターンニングを可能とし、低コストのTFTシートを提供すること。【解決手段】有機TFT素子を、有機半導体材料を加熱溶融することにより製造すること及び、光熱変換層、有機半導体材料層を設け、所望の部位を光照射し溶融させることにより製造すること。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

有機半導体材料が加熱溶融される工程を経て、有機半導体層が形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L29/786 ,  H01L21/208 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/208 Z ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/28

Fターム (47件)：

5F053AA50 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053LL10 ,  5F053RR20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF21 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-234113   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-235349   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-140731   出願人：葉文昌