特許

J-GLOBAL ID：200903031257822271

クーロンブロッケイド素子とその製造方法

発明者： 高橋 庸夫 ,  藤原 聡 ,  永瀬 雅夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-275544
公開番号（公開出願番号）：特開平9-135018
出願日： 1995年10月24日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 高い温度でクーロンブロッケイド現象が現れる素子を実現する。【解決手段】 酸化膜5をパターン加工し、シリコン層4を酸化膜5を加工マスクにしてエッチングする。シリコン層4が、細線部10と細線部10よりも幅の広い第1の電極部11及び第2の電極部12とを有する形状に加工される。この構造を熱酸化すると、電極部11、12のシリコン層4の膜厚が細線部10の近傍で細線部10よりも薄くなる。これにより、細線部10の両端に細線部よりエネルギーの高いポテンシャル障壁が形成され、細線部10に電荷を閉じ込めることができるので、高い温度で動作するクーロンブロッケイド素子を実現できる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上にシリコン層が形成された基板上において、前記シリコン層が、電荷を閉じ込めるための伝導体島となる細線部と、この細線部の両端に接続するように形成された、細線部より幅が広く細線部近傍の膜厚が細線部よりも薄い第1、第2の電極部とを有することを特徴とするクーロンブロッケイド素子。

IPC (4件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 29/78 301 J