3族窒化物半導体の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-076512
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263749
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】結晶性の向上及び発光強度の向上【構成】発光ダイオード10はサファイア基板1を有し、その上に500 ÅのAlNのバッファ層2、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaNから成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成る高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、亜鉛及びマグネシウムドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N から成る発光層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成るp層6が形成されている。その後、上記発光層5及びp層6は窒素ガスのプラズマ状態で加熱される。これによりN元素を離脱させることなくH元素を離脱させることができ、p伝導型の良質な結晶を得ることができ、その結果、発光強度が向上する。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) の製造方法において、3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) の気相成長後に、窒素プラズマ中で加熱処理することを特徴とする製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/324 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-038157 出願人：株式会社東芝
III-V族合金半導体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-191985 出願人：日本電信電話株式会社
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-357046 出願人：日亜化学工業株式会社

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