特許
J-GLOBAL ID：200903031289651290
累積型化学・物理現象検出装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-293669
公開番号（公開出願番号）：特開2002-098667
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 高感度化を図ることができる累積型化学・物理現象検出装置を提供する。【解決手段】 センシング部はイオン信号が入るような構造となっており、一般的にはMOS構造の金属電極の代わりにシリコン窒化膜(Si3 N4 膜)23がシリコン酸化膜(SiO2 膜)22上に堆積されており、その表面がイオン感応部として働く。さらに、水溶液24中には参照電極26が挿入され、水溶液24の電位は、一定に保たれている。電荷供給部、障壁部、リセットゲート部にはパルス電圧、その他のフローティングディフュージョン部以外の電極には直流電圧が印加されている。電荷供給部、フローティングディフュージョン部とリセットドレイン部は拡散層で作られており、その他の部はMOS構造となっている。
請求項（抜粋）：
センシング領域からの電圧出力を、薄い酸化膜を介して半導体表面のポテンシャルの変化として入力させ、該ポテンシャルの変化を電荷に変換させることを特徴とする累積型化学・物理現象検出装置。
IPC (3件)：
G01N 27/414
, H01L 27/14
, H01L 29/78
G01N 27/30 301 Z
, H01L 27/14 Z
, H01L 29/78 301 U
4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB10
, 4M118BA30
, 4M118DC03
, 4M118DC08
, 4M118DD05
, 4M118DD09
, 4M118DD11
, 5F040EB15
